TSMC N2 (2 nm)
科技
工艺节点
Gate-all-around arrives: volume production from late 2025.
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N2 is TSMC's first gate-all-around nanosheet node, entering volume production in late 2025 with reported record tape-out demand — the process the 2027 accelerator generation will compete for. A16, with backside power delivery, follows in late 2026.
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记录审阅截至 2026-01-15 — 查看 方法论.